Модуль памяти Kingston KVR800D2E6/2G

Модуль памяти Kingston KVR800D2E6/2G

Главные особенности модуля памяти Kingston KVR800D2E6/2G

DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 1×2048 Мб, ECC, 1.8 В, CL 6

Описание модуля памяти Kingston KVR800D2E6/2G

Техно
ИНФОРМАЦИЯ
Тип

  • DDR2 ECC

    Частота

  • 800MHz

    Пропускная способность

  • 6400 Mb/s

    Объем

  • 2GB

    Напряжение

  • 1.8V

    CAS Latency

  • CL6

    Технические свойства модуля памяти Kingston KVR800D2E6/2G

  • Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Объем: 1 модуль 2048 Мб
    Тип памяти: DDR2
    Тактовая частота: 800 МГц
    Поддержка ECC: есть
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Пропускная способность: 6400 Мб/с
    CAS Latency (CL): 6
    Напряжение питания: 1.8 В
    Количество чипов каждого модуля: 18, двухсторонняя упаковка

    Похожие записи: Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

    Оставить комментарий

    Вы должны быть авторизованы, чтобы разместить комментарий.